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iPad ari2的A8x芯片比iPhone6S的A9芯片的要好一些，它们的差距要从很多方面来说。
一直以来，大众对芯片制造工艺的印象都停留在“纳米线宽”的层面上。
从上世纪的微米级工艺到现在的接近个位数纳米级工艺，每一代制造工艺进步的最明显特征就是线宽缩小。一般来说，工艺进步一代则线宽缩小为原来的约0.7倍，例如90nm到65nm再到45nm。两代工艺之间还往往存在着半代工艺的过渡，例如90nm到80nm就是进化半代，32nm到28nm也是半代改进。
从表面上看，线宽越窄的工艺应该是越先进的，这也符合人们的直觉印象。
然而事实情况却要复杂得多。首先，工艺的技术水平评价参数很多，线宽只是其中较为重要的一个指标。
比较典型的，影响同晶体管规模下芯片面积的指标就细分为晶体管栅极间距和内部互联最小间距，而不同的芯片工厂的同代工艺在这两个重要指标上一般都不相同；另外，晶体管制造技术不断进化，是否使用最新的晶体管技术（例如FinFET鳍式场效应晶体管）来减少漏电率、增强晶体管性能，也是区分不同代工厂工艺水平的重要因素。
综合来说，Intel的制造工艺一直处于业界标杆地位，比台积电、三星等对手的同代工艺通常领先半代之多—也就是说，Intel 32nm工艺的综合实力就能达到台积电28nm工艺的层次，甚至可能更强。此外，每家芯片工厂的同代工艺也会细分为几个发展阶段，例如台积电的28nm技术就分为低功耗版和高性能版，后者是在前者发展成熟后才推出，性能也更强一些。
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